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J-GLOBAL ID：200903032817015098

半導体基板の洗浄方法

Inventor： 上村 賢一 ,  大塚 進 ,  窪田 和彦 ,  佐近 正 ,  林 伸光 ,  渥美 純
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 大島 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994099236
Publication number (International publication number)：1995283182
Application date： Apr. 12, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 シリコンウェハを高集積化に対応し得るように洗浄する。【構成】 研磨後に行う洗浄に於いて、HF-HCL洗浄液による洗浄を行い、リンス後、アンモニア・過酸化水素洗浄液による洗浄を行い、リンス後、希HCLによる洗浄を行い、リンスして洗浄後の乾燥工程に送る。【効果】 洗浄の前工程に於いて生じる金属汚染物質をHF-HCL洗浄で除去でき、その洗浄に伴う付着粒子をアンモニア・過酸化水素洗浄で除去でき、その洗浄に起因する汚染金属をHCL洗浄で除去でき、極めて高い清浄度のシリコンウェハを高い歩留まりにて得ることができ、高集積化チップ用のウェハを安価にかつ大量に供給することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の研磨後の洗浄が、HF及びHCLを含む水溶液による洗浄を行う過程と、NH4OH及びH2O2を含む水溶液による洗浄を行う過程と、HCLを含む水溶液による洗浄を行う過程とを有することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。

IPC (5)：

H01L 21/304 341 ,  B08B 3/08 ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/18 ,  H01L 21/308