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J-GLOBAL ID：200903032817051698

不揮発性記憶素子

Inventor： 高須 秀視
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 稲岡 耕作 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992045790
Publication number (International publication number)：1993250881
Application date： Mar. 03, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【構成】4つのMFSFET24,25,26,27からフリップフロップ回路20を構成し、このフリップフロップ回路20に一対の書き込み・読み出し用のFET21,20をそれぞれ接続する。【効果】MFSFET24,25,26,27は、強誘電体膜23の残留分極により、チャネル形成状態を保持するので、電源OFF時にも、フリップフロップ回路20は電源OFF直前の状態を保持することとなる。そのため、非破壊読み出しが可能となる。

Claim (excerpt)：

4つの電界効果トランジスタから構成され、情報を記憶するフリップフロップ回路と、フリップフロップ回路にそれぞれ接続され、フリップフロップ回路に対して情報の書き込み・読み出しを行う一対の電界効果トランジスタとを備え、上記フリップフロップ回路の各電界効果トランジスタは、電荷を蓄積するための強誘電体膜を有することを特徴とする不揮発性記憶素子。

IPC (2)：

G11C 16/02 ,  G11C 14/00

FI (2)：

G11C 17/00 307 C ,  G11C 11/40 101