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J-GLOBAL ID：200903032819509926
半導体装置,及び混成集積回路装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994011269
Publication number (International publication number)：1995221223
Application date： Feb. 03, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：
【要約】【目的】 外部との間で基本モードのみにより高周波信号の入出力を行うことができる半導体装置を得る。【構成】 半導体高周波デバイスが形成された基板10の所定部分に外部導波管14の先端部がこれに接続される導波管終端構造部60を形成し、該導波管終端構造部60内に基板10表面に形成されたマイクロストリップ線路10Aの信号用線路11の一端11aを挿入する。
Claim (excerpt)：
半導体高周波デバイスが形成された基板と、上記基板表面に形成され、上記半導体高周波デバイスに電気的に接続された高周波伝送線路と、上記基板の所定位置に形成された、外部導波管の先端部がこれに接続される,導波管終端構造部とを備え、上記高周波伝送線路の信号用線路の一端が、上記導波管終端構造部内に挿入されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 23/12 301
, H01L 23/04
, H01L 23/48
