Pat

J-GLOBAL ID：200903032819934147

透明導電膜および光電変換半導体装置の製造方法

Inventor： 古曵 重美 ,  和田 隆博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 東島 隆治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993246666
Publication number (International publication number)：1995106615
Application date： Oct. 01, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 結晶欠陥の少ないZnO膜への不純物ドーピングに基づく低抵抗化ZnO透明導電膜およびそれを用いた光電変換半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ZnOの分子線、またはZnおよびOの分子線を用いてZnO膜を作製する際に、IA族(H)、IIIA族(B、Al、Ga、In)、またはVIIA族(F、Cl、I、Br)のいずれかの原子の分子線を用いてZnO膜中に不純物をドーピングすることにより、制御性良く電気抵抗を低減化させる。

Claim (excerpt)：

ZnOの分子線と、IA族、IIIA族、またはVIIA族のいずれかの原子の分子線とを膜を形成しようとする基体上へ照射することにより前記原子のドープされたZnOからなる透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 31/04 ,  C01G 9/02 ,  C23C 14/08 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503