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J-GLOBAL ID：200903032829981488

半導体層の結晶成長方法

Inventor： 小倉 基次 ,  萬濃 正也
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994320780
Publication number (International publication number)：1995235505
Application date： Dec. 22, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】 結晶品質の高い半導体層を成長させる方法を提供する。【構成】 成長室1のサセプタ2上に基板3をセットし、基板を500°Cに加熱する。水素ボンベ5、DMZnボンベ6、DMSeボンベ7、DMSボンベ8、Cp2Mgボンベ9から流量制御計10〜15を用いて適切な混合比率に調節された原料ガスを成長室1へ導入する。流量制御計15及び17を調節し、成長室内の圧力を5kg/cm2に保ちながら原料ガスを基板近傍で分解させ、Zn0.9Mg0.1S0.1Se0.9を基板3上にエピタキシャル成長させる。

Claim (excerpt)：

半導体層を構成する元素含む複数の原料ガスであって、このうち少なくとも1種類は有機金属化合物である複数の原料ガスを成長室に導入する工程と、該成長室内の成長圧力を1気圧以上に保ちながら、加熱された基板の表面近傍において該原料ガスを分解させることにより、該基板上に該半導体層をエピタキシャル成長させる工程とを包含する、半導体層の結晶成長方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/44 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-137537
  
• 特開平4-133418
  
• 特開平2-257679