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J-GLOBAL ID：200903032831194671

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 鈴木 篤
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003101326
Publication number (International publication number)：2004228547
Application date： Apr. 04, 2003
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：

【課題】Pチャネルトランジスタのゲート電極の仕事関数をシリコンの価電子帯上端の仕事関数値に近づけるとともに、Pチャネルトランジスタのゲート電極の仕事関数をシリコンの伝導帯下端の仕事関数値に近づけることで、しきい値電圧の低減を図る。【解決手段】Pチャネルトランジスタ1とNチャネルトランジスタ2とを有する半導体装置であって、Pチャネルトランジスタ1のゲート電極21はインジウムヒ素からなり、Nチャネルトランジスタ2のゲート電極31はインジウムからなるものであり、もしくは、Pチャネルトランジスタ1のゲート電極21はモリブデンからなり、Nチャネルトランジスタ2のゲート電極31はモリブデン・タングステン合金からなるものである。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

PチャネルトランジスタとNチャネルトランジスタとを有する半導体装置であって、 前記Pチャネルトランジスタのゲート電極はインジウムヒ素からなり、 前記Nチャネルトランジスタのゲート電極はインジウムからなる ことを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

FI (4)：

H01L27/08 321D ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/58 G

F-Term (69)：

4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD26 ,  4M104DD33 ,  4M104DD65 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB15 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BG01 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA27 ,  5F140AA00 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD11 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BG04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG11 ,  5F140BG14 ,  5F140BG30 ,  5F140BG33 ,  5F140BG36 ,  5F140BG38 ,  5F140BG40 ,  5F140BG50 ,  5F140BG51 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CE06 ,  5F140CE07 ,  5F140CE18