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J-GLOBAL ID：200903032833123950

オフ基板上でのカーボンナノチューブの製造方法

Inventor： 粟野 祐二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (5)： 石田 敬 ,  吉田 維夫 ,  鶴田 準一 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002235015
Publication number (International publication number)：2004075422
Application date： Aug. 12, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：

【課題】カーボンナノチューブの成長場所、直径、配向性及びカイラリティーを制御したカーボンナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】特定の対称性の高い結晶方位から1次元方向又は2次元方向に傾いた基板を用意し、その基板表面に現れる原子ステップに沿って触媒金属を蒸着する工程と、その触媒金属を核としてカーボンナノチューブをケミカルベーパーデポジション(CVD)成長させる工程を含む、カーボンナノチューブの製造方法。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

特定の対称性の高い結晶方位から1次元方向に傾いた基板を用意し、その基板表面に現れる原子ステップに沿って触媒金属を蒸着する工程と、その触媒金属を核としてカーボンナノチューブをケミカルベーパーデポジション(CVD)成長させる工程を含む、カーボンナノチューブの製造方法。

IPC (7)：

C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  C30B29/62 ,  C30B29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L29/06

FI (7)：

C01B31/02 101F ,  C23C16/26 ,  C30B29/62 S ,  C30B29/66 ,  H01L21/02 B ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 601N

F-Term (36)：

4G077AA04 ,  4G077BA02 ,  4G077DB16 ,  4G077ED05 ,  4G077EE05 ,  4G077EJ09 ,  4G077TK06 ,  4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146AD03 ,  4G146AD05 ,  4G146BA12 ,  4G146BC09 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030BB11 ,  4K030CA00 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01 ,  5F045AA06 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AC16 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045EH20