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J-GLOBAL ID：200903032835065345

電力変換装置およびその製造方法

Inventor： 岡山 秀夫 ,  福盛 久
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994262553
Publication number (International publication number)：1996126302
Application date： Oct. 26, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 自己消弧形半導体素子を用いた電力変換装置においてスナバ回路のインダクタンスを低減し、ターンオフ時の損失を低減する。【構成】 自己消弧型半導体素子1と、スナバダイオード2およびスナバコンデンサ3の直列体からなるスナバ回路と、自己消弧形半導体素子1、スナバダイオード2およびスナバコンデンサの相互間を接続する帯状の幅広導体14〜16を備え、自己消弧形半導体素子、スナバダイオードおよびスナバコンデンサのすべての電極面を平行に配置し、電極間を接続する幅広導体をすべて平行に配置する。前記電極を平面図上で直線上に配置し、前記幅広導体のうち電流が逆方向に流れる幅広導体を近接させる。

Claim (excerpt)：

自己消弧型半導体素子と、前記自己消弧形半導体素子のバイパス回路に接続され、スナバダイオードとスナバコンデンサの直列体からなるスナバ回路と、前記自己消弧形半導体素子、スナバダイオードおよびスナバコンデンサの相互間を接続する複数の帯状の幅広導体とを備え、前記自己消弧形半導体素子の陽極面、陰極面、前記スナバダイオードの陽極面、陰極面および前記スナバコンデンサの2つの電極面をすべて平行な位置関係に配置し、前記幅広導体をすべて平行な位置関係に配置したことを特徴とする電力変換装置。

IPC (2)：

H02M 1/06 ,  H02M 7/48

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• スナバ回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-030605   Applicant：三菱電機株式会社