Pat
J-GLOBAL ID：200903032837632018
半導体デバイス及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992307156
Publication number (International publication number)：1994163935
Application date： Nov. 17, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 シリコン層の両面にガラス層が陽極接合された半導体デバイスにおいて、ガラス層に貫通孔を設けることなく、ガラス層の内側の電極から配線を外部に引き出せるようにすることを目的とする。【構成】 電極(16,17,13)から配線を引き出すための配線パッド(18,19,20)を第1のガラス層(12)の内側面の縁部に配置すると共に、これらの配線パッドに対向する位置におけるシリコン層(10)及び第2のガラス層(11)を部分的に除去した。第2のガラス層の一部を除去する場合、ガラス層のその部分とシリコン層との間にアルミニウムの陽極接合抑止層(36)を介在させる。その結果、陽極接合を行っても、当該部分のガラス層はシリコン層に接合せず、切断により除去できる。第2のガラス層側の電極(16)は、シリコン層に形成された導通部分(24)を介して配線パッド(20)に接続することができる。
Claim (excerpt)：
シリコン層の両面にそれぞれ第1及び第2のガラス層が接合され、前記ガラス層の少なくとも一方と前記シリコン層との間に電極が配置されている半導体デバイスにおいて、前記電極から配線を引き出すための配線パッドを前記第1のガラス層の内側面の縁部に配置すると共に、前記配線パッドに対向する位置における前記シリコン層及び前記第2のガラス層を除去したことを特徴とする半導体デバイス。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
