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J-GLOBAL ID：200903032851107040
電圧変位素子の制御装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青木 朗 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991199364
Publication number (International publication number)：1993046249
Application date： Aug. 08, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 共振の影響を受けにくく、かつ高速に応答させることが可能な、本質的に、高周波数域でゲインが低く、かつ位相特性が劣化しないような、電圧変位素子の制御装置を提供することを目的とする。【構成】 印加電圧に応じて伸縮する電圧変位素子1に電圧を印加して変位させ、センサ2を用いて検出したその変位量をフィードバックすることにより、電圧変位素子1への印加電圧を制御する電圧変位素子の制御装置3において、ラプラス演算子をs、前記電圧変位素子1の伝達関数をG(s) 、制御装置3の伝達関数をK(s) 、制御装置3内に設けられた位相補償器4の伝達関数をK'(s)としたときに、制御系の一巡伝達特性が、G(s)*K(s) = G(s)*K'(s)/sn の形となり、かつ、電圧変位素子1の伝達関数K(s) の分母の次数が分子の次数よりも大きくなるように、制御装置3の伝達関数に積分要素5を設けて構成する。
Claim (excerpt)：
印加電圧に応じて伸縮する電圧変位素子(1) に電圧を印加して変位させ、センサ(2) を用いて検出したその変位量をフィードバックすることにより、前記電圧変位素子(1) への印加電圧を制御する電圧変位素子の制御装置(3) であって、ラプラス演算子をs、前記電圧変位素子(1) の伝達関数をG(s) 、前記制御装置(3) の伝達関数をK(s) 、制御装置(3) 内に設けられた位相補償器(4) の伝達関数をK'(s)としたときに、制御系の一巡伝達特性が、G(s)*K(s) = G(s)*K'(s)/snの形となり、かつ、前記制御装置(3) の伝達関数K(s) の分母の次数が分子の次数よりも大きくなるように、前記制御装置(3) の伝達関数に積分要素(5) を設けたことを特徴とする電圧変位素子の制御装置。
IPC (3)：
G05D 3/00
, G05D 3/12 305
, G11B 21/10
