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J-GLOBAL ID:200903032852013642
光偏向素子
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
森下 武一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996040963
Publication number (International publication number):1997230392
Application date: Feb. 28, 1996
Publication date: Sep. 05, 1997
Summary:
【要約】【課題】 弾性表面波の伝搬速度が速く、高速走査が可能な光偏向素子を得る。【解決手段】 Si基板2上にSiO2からなる低屈折率薄膜3を介してZnOからなる圧電薄膜4が形成されている。圧電薄膜4表面の中央部手前寄りにインターデジタルトランスジューサ11が形成されている。圧電薄膜4上にはSiO2からなる低屈折率薄膜5が形成され、圧電薄膜4と低屈折率薄膜3,5とで光導波層8を構成している。さらに、この低屈折率薄膜5上にダイヤモンド薄膜6が形成されている。ダイヤモンド薄膜6上には、左右両側部に入射用グレーティング12及び出射用グレーティング13が形成されている。
Claim (excerpt):
基板と、前記基板上に設けられた少なくとも圧電薄膜からなる光導波層と、前記光導波層上に設けられたダイヤモンド薄膜と、を備えたことを特徴とする光偏向素子。
IPC (4):
G02F 1/335
, B41J 2/44
, G09F 9/00 360
, H03H 9/25
FI (4):
G02F 1/335
, G09F 9/00 360 Z
, H03H 9/25 C
, B41J 3/00 D
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