Pat

J-GLOBAL ID：200903032883163588

半導体製造装置

Inventor： 金谷 伸広
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998231006
Publication number (International publication number)：2000058430
Application date： Aug. 17, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】シャロートレンチアイソレーションやリフトオフといった半導体製造方法の際に、レジストの断面形状が上辺の小さい台形状あるいは上辺の大きい台形状を持つものを要求されることがあり、レジストの断面形状を制御したい。【解決手段】ガス10をガス供給系4からガス配管6を通して、流量調節器5、温度調節器7及び整流器9に流して、ユニット内に供給してから排気3する。同時に基板ウエハ1はヒーター2によって温度制御し、カバー8を雰囲気の制御、温度変化の緩和のために付ける。このユニット内に供給され、ウエハ面に吹き付けられるガス10はヒーター2とは、別系統の温度調節機能を持つものとする。【効果】ベーク処理において、ウエハ上のレジスト内に垂直な方向の温度勾配を生じさせ、現像後のレジスト断面形状を制御する効果を持つ。

Claim (excerpt)：

レジスト付き基板を加熱する処理ユニットにおいて、ウエハ裏面に加熱を行うユニットとウエハ表面側にガス供給設備を持つことと反応ガス供給設備に供給されるガスの温度制御装置を備えることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 7/38 511

FI (3)：

H01L 21/30 567 ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 7/38 511

F-Term (7)：

2H096AA25 ,  2H096DA01 ,  2H096DA03 ,  2H096FA01 ,  2H096FA04 ,  5F046KA04 ,  5F046KA05