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J-GLOBAL ID：200903032893703173

超電導磁石装置

Inventor： 矢澤 孝 ,  河合 正道 ,  新 政憲 ,  山下 知久
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994297563
Publication number (International publication number)：1996162317
Application date： Nov. 30, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】超電導コイルの励消磁時に内槽表面に付加されたを低電気抵抗層に誘導される電流が抑制され、内槽の熱負荷が低減する超電導磁石装置を得る。【構成】超電導コイル1と液体ヘリウム11を収容し高電気抵抗材41からなる内槽4と、この内槽4の外側表面に形成した低電気抵抗層42と、この低電気抵抗層42の一部に、高電気抵抗材41の表面を出すことにより主ループを切るためのスリット43と、このスリット43部の低電気抵抗層42に電気的に結合され、超電導コイル1の励磁時は高電気抵抗体となり、かつ超電導コイル1に高周波磁界が作用したとき高導電体となる抵抗可変手段15を備えたもの。

Claim (excerpt)：

超電導線を巻回してなる超電導コイルと、この超電導コイルと超電導コイルを冷却するための冷媒を収容する高電気抵抗材料からなる内槽と、この内槽表面に形成され該内槽の構成材料よりも低電気抵抗である低電気抵抗材からなる低電気抵抗層と、この低電気抵抗層の一部に形成され、前記低電気抵抗層に誘導される誘導電流ループを切るため、前記高電気抵抗材料の表面が露出するように形成されたスリットと、このスリットを挟んで対向する前記低電気抵抗層に電気的に結合され、前記超電導コイルの励磁時は高電気抵抗体となり、かつ前記超電導コイルに高周波磁界が作用したとき高導電率を保つ抵抗可変手段と、を備えた超電導磁石装置。

IPC (5)：

H01F 6/00 ZAA ,  B60L 13/04 ZAA ,  H01F 6/06 ZAA ,  H01F 6/04 ZAA ,  H01L 39/04 ZAA

FI (3)：

H01F 7/22 ZAA F ,  H01F 5/08 ZAA F ,  H01F 7/22 ZAA G