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J-GLOBAL ID：200903032902779439

パターン形成方法および半導体装置の製造方法

Inventor： 田中 潤一
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 奥田 誠司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003097690
Publication number (International publication number)：2004304097
Application date： Apr. 01, 2003
Publication date： Oct. 28, 2004
Summary：

【課題】残膜が生じず、樹脂からモールドを容易に剥離することが可能なインプリント法によるパターンの形成方法を提供する。【解決手段】対向する第1および第2の主面を有し、第1の主面に凹部31bおよび凸部31aを含む凹凸パターンが形成されており、凸部31aの少なくとも一部に遮光性を有する膜32が形成された透光性モールド10を用意する工程と、基板35上に液体状の光硬化性樹脂組成物を含む感光層36を形成する工程と、感光層36の一部が、凹部に侵入するよう透光性モールド101の第1の主面を感光層に圧着させる工程と、透光性モールド101の第2の主面から感光層36を露光する工程と、感光層36の未露光部分を除去する工程とを包含するパターン形成方法。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

対向する第1および第2の主面を有し、前記第1の主面に凹部および凸部を含む凹凸パターンが形成されており、前記凸部の少なくとも一部に遮光性を有する膜が形成された透光性モールドを用意する工程と、 基板上に液体状の光硬化性樹脂組成物を含む感光層を形成する工程と、 前記感光層の一部が、前記凹部に侵入するよう前記透光性モールドの第1の主面を前記感光層に圧着させる工程と、 前記透光性モールドの第2の主面から前記感光層を露光する工程と、 前記感光層の未露光部分を除去する工程と、 を包含するパターン形成方法。

IPC (3)：

H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/38

FI (3)：

H01L21/30 502D ,  G03F7/20 521 ,  G03F7/38 501

F-Term (5)：

2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096DA10 ,  2H096GA01 ,  5F046AA28