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J-GLOBAL ID：200903032903877787
半導体のコンデンサ構造
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993353771
Publication number (International publication number)：1995202127
Application date： Dec. 29, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、拡散層側電極の寄生抵抗を低減するとともに小型化を図ることを目的とする。【構成】 コンタクト領域となる第1導電型拡散層16と第2導電型拡散層15を、それぞれ少なくとも1箇所でゲート電極14の端縁部に接するようにウェル領域2上に形成したことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
第1導電型の半導体基板上に第2導電型のウェル領域を形成し、該ウェル領域の表面にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、前記ゲート電極直下の領域以外の前記ウェル領域上にコンタクト領域となる高濃度の第1導電型拡散層と第2導電型拡散層を形成し、前記ゲート電極直下の前記ウェル領域に反転層又は蓄積層を発生させるとともに該反転層は前記第1導電型拡散層に電気的に接続させ、該蓄積層は前記第2導電型拡散層に電気的に接続させ、前記ゲート電極と前記反転層又は蓄積層との間で容量を形成してなる両極性の半導体のコンデンサ構造において、前記第1導電型拡散層と第2導電型拡散層とは、それぞれ少なくとも1箇所で前記ゲート電極の端縁部に接するように前記ウェル領域上に形成してなることを特徴とする半導体のコンデンサ構造。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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