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J-GLOBAL ID：200903032918579227

2安定抵抗値取得装置及びその製造方法並びに金属酸化物薄膜及びその製造方法

Inventor： 神 好人 ,  酒井 英明 ,  嶋田 勝
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (3)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2005013413
Publication number (International publication number)：WO2006009218
Application date： Jul. 21, 2005
Publication date： Jan. 26, 2006
Summary：

強誘電体層(104)を下部電極層(103)と上部電極(105)とで挾み、下部電極層(103)と上部電極(105)との間に所定の電圧(DC,パルス)を印加して強誘電体層(104)の抵抗値を変化させ、安定な高抵抗モードと低抵抗モードを切り替えれば、メモリ動作が得られる。読み出しは、上部電極(105)に、所定の電圧を印加したときの電流値を読み取ることで容易に行うことができる。

Claim (excerpt)：

基板の上に形成されて少なくとも2つの金属を含んだ金属酸化物から構成された所定の厚さの第1金属酸化物層と、 この第1金属酸化物層の一方の面に形成された第1電極と、 前記第1金属酸化物層の他方の面に形成された第2電極と を少なくとも備えることを特徴とする2安定抵抗値取得装置。

IPC (4)：

H01L 49/02 ,  H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (4)：

H01L49/02 ,  H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

F-Term (9)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083ZA21