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J-GLOBAL ID：200903032920469765

荷電粒子ビームによる半導体ウエハー検査装置及び検査方法

Inventor： 浜田 弘幸
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997161124
Publication number (International publication number)：1999008278
Application date： Jun. 18, 1997
Publication date： Jan. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 LSI製造工程中において非接触で電気的不良検査を行う方法を提供する。【解決手段】 本発明は、ウエハーステージを備えた走査型荷電粒子顕微鏡の、ウエハーの裏面電極電位と対向電極電位の電位差を制御して、荷電粒子ビームをウエハー上に照射することによりウエハー上に形成された素子に電荷を注入し、二次観測量を閾値と比較して電気的な接触の不良を判断する方法を採るので、LSIの製造途中段階でも電気的な不良検査を非接触で行うことができる半導体ウエハー検査装置及び方法を提供する。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハー上に形成された第一導電層、第二絶縁膜および第三素子のうち、前記第一導電層と前記第三素子の間の電気的接触を検査する装置において、二次電子像の電位コントラストが二次電子検出器の二次電子観測量の大小によって得られるウエハーステージを備えた走査型荷電粒子顕微鏡の、ウエハーの裏面に接触する裏面電極と、ウエハー表面の少なくとも一部が空間を置いて前記裏面電極に対向する部分を有する対向電極と、前記裏面電極の電位と前記対向電極電位の電位差を制御する装置と、二次電子観測量の閾値を決定する装置と、二次電子観測量の測定値と前記閾値を比較して、二次電子観測量の測定値が前記閾値よりも多いか少ないかにより類別する装置と、を有する荷電粒子ビームによる半導体ウエハー検査装置。

IPC (4)：

H01L 21/66 ,  G01N 23/225 ,  G01R 31/302 ,  H01J 37/28

FI (5)：

H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 Z ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/28 A ,  G01R 31/28 L