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J-GLOBAL ID：200903032926086248

ビスマス層状化合物薄膜の形成方法

Inventor： 渡辺 均 ,  三原 孝士 ,  由森 博之
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995060284
Publication number (International publication number)：1996264525
Application date： Mar. 20, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 簡略な工程で、ビスマス層状化合物薄膜を形成することが可能なビスマス層状化合物薄膜の形成方法を提供する。【構成】 真空槽1中に設けたターゲット2にパルス状のレーザービームを照射することによって照射部分を局部加熱し、前記ターゲットを構成する物質を蒸発飛散させて、前記ターゲット2に対向するように配置された基板3上に所定の組成式を有するビスマス層状化合物を成膜する成膜工程と、前記成膜工程において酸素を含有するアシストガスを導管8を介して供給する酸素供給工程とを有する。

Claim (excerpt)：

ビスマス層状化合物薄膜の形成方法において、真空中に設けたターゲットにパルス状のレーザービームを照射することによって照射部分を局部加熱し、前記ターゲットを構成する物質を蒸発飛散させて、前記ターゲットに対向するように配置された基板上に組成式(Bi2 O2 )2+(Am-1 Bm O3m+1)2-(ここで、Aはビスマス(Bi)、鉛(Pb)、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、カルシウム(Ca)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、カドミウム(Cd)の内から選ばれる1元素もしくは複数元素の組み合わせ、Bはチタン(Ti)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、クロム(Cr)の内から選ばれる1元素もしくは複数元素の組み合わせ、m=1〜5の自然数)を有するビスマス層状化合物を成膜する成膜工程と、前記成膜工程において酸素を含有するアシストガスを供給する酸素供給工程と、を有することを特徴とするビスマス層状化合物薄膜の形成方法。

IPC (9)：

H01L 21/316 ,  C01G 29/00 ,  C01G 35/00 ,  C23C 14/28 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6)：

H01L 21/316 X ,  C01G 29/00 ,  C01G 35/00 C ,  C23C 14/28 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371