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J-GLOBAL ID：200903032933572778

半導体装置用複合多層基板およびその製造方法

Inventor： 大矢 洋一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994309025
Publication number (International publication number)：1996167672
Application date： Dec. 13, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高速動作、高密度実装を可能とする高い熱伝導率と低い誘電率を併せ持つ半導体装置用多層配線基板およびその製造方法を得ることを目的とする。【構成】 窒化アルミニウム基板(1)と銅ポリイミド多層基板(4)とを組合せた複合多層基板とする。なお、接地及び電源層(3)を窒化アルミニウム多層基板中に、信号層(6)を銅ポリイミド多層基板中に形成することが、より高速動作、高密度実装を可能とする上から望ましい。

Claim (excerpt)：

窒化アルミニウム基板と銅ポリイミド多層基板とが積層してあることを特徴とする半導体装置用複合多層基板。

IPC (3)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/52 ,  H05K 3/46

FI (2)：

H01L 23/12 N ,  H01L 23/52 C