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J-GLOBAL ID：200903032937772011

酸素を使用して優先配向された白金薄膜を形成する方法と、その形成方法により製造された素子

Inventor： 朴東衍 ,  李東洙 ,  禹賢廷 ,  全東一 ,  尹義▲俊▼
Applicant, Patent owner： 東洋セメント株式会社
Agent (1)： 青木 輝夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998137412
Publication number (International publication number)：1998326755
Application date： May. 06, 1998
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】 白金薄膜の優先配向を調節することは難しい。【解決手段】 O2,O3,N2O,N2+O2又はこれらの混合ガスのような酸素成分と、不活性ガス(Ar,Ne,Kr又はXe)が混合された雰囲気で白金薄膜を基板(常温〜700°Cに加熱された基板)上に蒸着した後、熱処理して蒸着中に混入されたガスを白金薄膜から除去することにより、(111)、(220)および/または(220)に優先配向性が調節された白金薄膜を得る。この方法により形成された白金薄膜は電気伝導性が優れ(抵抗が15μΩ-cm)、電子素子に使用するに十分な接着力を有し、ヒロック、ピンホール、気孔等のような欠陥がない。

Claim (excerpt)：

メモリ素子とセンサ素子に使用され、優先配向性が(111)、(200)および/または(220)に調節された白金薄膜を形成する方法において、シリコン基板を提供するステップと、前記シリコン基板の上部面に絶縁層を形成するステップと、O2,O3,N2O,N2+O2及びこれらの混合ガス等の群から選択された酸素成分と不活性ガスが混合された雰囲気で前記絶縁層の上部面に白金薄膜を蒸着して前記酸素成分を含有する白金薄膜を得るための白金薄膜蒸着ステップと、前記酸素成分を含有する白金薄膜を白金酸化物の分解温度より高い450〜1000°Cで熱処理して前記蒸着ステップで混入されたガスを前記白金薄膜から除去することにより、前記白金薄膜はヒロック、ピンホール、気孔のような欠陥のない微細構造を有し、白金薄膜の抵抗が15μΩ-cm未満となるようにする熱処理ステップと、を含むことを特徴とする白金薄膜形成方法。

IPC (7)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 21/285 301 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371