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J-GLOBAL ID：200903032939560801

半導体レーザ装置

Inventor： 木下 順一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994055445
Publication number (International publication number)：1995263797
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、発振波長の僅かに異なる複数のグレーティング結合型表面発光DFBレーザをワン・チップに集積してなる集積化半導体レーザにおいて、生産性および汎用性を向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、p-InP基板11上に、p-InPバッファ層12、InGaAsP活性層13、InGaAsP導波路層14を順に積層し、この上に、僅かずつ周期が変化された4つのグレーティング15を、その一部を共有させて放射状に配置する。また、各グレーティング15に沿ってInGaAsP活性層13をストライプ状にメサエッチングし、埋め込み型構造を形成する。こうして、複数のDFBレーザの出力スポットを一点に集めて集積させることで、出力窓20からの4種の光出力を光ファイバに直に結合できる構成となっている。

Claim (excerpt)：

発振波長の異なる複数のグレーティング結合型表面発光分布帰還型レーザの各共振器が、半導体基板上の一点を共有するように配置されてなることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-231791
  
• 特開昭57-170582
  
• 特開平1-105590