半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺望稔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993068779
Publication number (International publication number)：1994283532
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】アルミニウムまたはその合金からなる金属配線層の下地として拡散バリア性と配線の高信頼性とを併せ持つバリアメタルとなる膜質の良い(111)配向チタンナイトライド膜を形成することで配線の信頼性の確保と工程の簡略化を図った半導体装置およびその製造方法の提供。【構成】金属配線層がアルミニウムまたはその合金層を含む積層配線である半導体装置において、金属配線層の下地に(111)に配向したチタンナイトライド膜およびその下層に表面被覆率で50%以上、平均膜厚100Å以下のチタン膜が積層される半導体装置および前記チタン膜または予め堆積された所定量のチタンナイトライド膜上に、CVD法によって、良好な膜質、特に(200)に配向する条件下で(111)配向の良膜質のチタンナイトライドを形成する工程を含む半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

金属配線層がアルミニウムまたはその合金層を含む積層配線である半導体装置において、金属配線層の下地に(111)に配向したチタンナイトライド膜およびその下層に表面被覆率で50%以上、平均膜厚100Å以下のチタン膜が積層されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 21/88 R , H01L 21/88 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-285103
特開平3-262127
コンタクト部の配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-190577 Applicant：ソニー株式会社

Show all

Return to Previous Page