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J-GLOBAL ID：200903032946366905

発光素子およびその製造方法

Inventor： 森 重恭 ,  中野 雅行 ,  足立 浩一郎 ,  森下 敏 ,  杉本 和雄 ,  福島 隆史 ,  森 由紀子 ,  奥藤 章
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995104435
Publication number (International publication number)：1996307011
Application date： Apr. 27, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体材料としてシリコンを用いて量子効果を発現でき、しかも均一にかつ再現性よく製造することができる実用性のある発光素子及びその製造方法を得る。【構成】 発光素子において、発光領域を、50nm以下の粒径をもった結晶粒2aからなる微結晶シリコン層2により構成した。

Claim (excerpt)：

50nm以下の粒径をもった微結晶シリコンから構成した発光領域を有し、該発光領域にて発光を行う発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 超微粒子発光素子及びその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-360515   Applicant：日本ビクター株式会社
• 大面積発光材料およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-079322   Applicant：鐘淵化学工業株式会社
• シリコン微結晶発光媒質及びそれを用いた素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-120878   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 発光デバイスおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-228148   Applicant：日新電機株式会社
• 特開昭59-039713
  
• 多結晶シリコン薄膜およびその形成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-312800   Applicant：鐘淵化学工業株式会社