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J-GLOBAL ID：200903032961400133

半導体装置

Inventor： 宇田川 隆
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995183043
Publication number (International publication number)：1997036428
Application date： Jul. 19, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】 窒素を含有するIII -V族化合物半導体層の積層構造を備えた、プレーナ型であり且つ高輝度の短波長LEDを提供する。【構成】 アルミニウムからなる基板表面上に含窒素 III-V族化合物半導体からなる積層構造を直接堆積させた積層構造から半導体装置を構成する。特に、含窒素 III-V族化合物半導体がAl<SB>x</SB> Ga<SB>1-x</SB> N(0<x≦1)である積層構造から半導体装置を構成する。【効果】 プレーナ型であり高輝度の短波長LEDがもたらされる。

Claim (excerpt)：

アルミニウムからなる基板表面上に窒素を含む含窒素III -V族化合物半導体からなる積層構造を直接堆積させた積層構造を備えてなる半導体装置。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205