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J-GLOBAL ID：200903032966377539
発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994033659
Publication number (International publication number)：1995245424
Application date： Mar. 03, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：
【要約】【目的】検査工程の信頼性が高く、素子の作製工程が簡便になる電極側へ発光させる場合に、電極金属の占める面積を小さくしても実用的な発光分布を有し、寿命も長い発光素子を提供する。【構成】一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x<1、0<y<1、0≦z<1)で表されるn型の3-5族化合物半導体からなる層と、一般式In<SB>x'</SB>Ga<SB>y'</SB>Al<SB>z'</SB>N(ただし、x’+y’+z’=1、0<x’<1、0<y’<1、0≦z’<1)で表されるp型の3-5族化合物半導体からなる層との接合面を少なくとも1つ有する3-5族化合物半導体を用いた発光素子において、いずれかの層中の少なくとも一方に、キャリア濃度の異なる少なくとも2つの層を有することを特徴とする発光素子。
Claim (excerpt)：
一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x<1、0<y<1、0≦z<1)で表されるn型の3-5族化合物半導体からなる層と、一般式In<SB>x'</SB>Ga<SB>y'</SB>Al<SB>z'</SB>N(ただし、x’+y’+z’=1、0<x’<1、0<y’<1、0≦z’<1)で表されるp型の3-5族化合物半導体からなる層との接合面を少なくとも1つ有する3-5族化合物半導体を用いた発光素子において、いずれかの層中の少なくとも一方に、キャリア濃度の異なる少なくとも2つの層を有することを特徴とする発光素子。
IPC (2)：
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