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J-GLOBAL ID：200903032973974380

発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法

Inventor： 石黒 茂之 ,  栗原 徹
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997280794
Publication number (International publication number)：1999121793
Application date： Oct. 14, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 作業工程数を減らし、エピタキシャルウェハの割れや反りをなくし、作業工程での取扱を容易にして製造コストを軽減する発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。【解決手段】p型GaAs基板5上にエピタキシャルウェハ6の混晶比よりも高い混晶比を有する高混晶AlGaAs層4を成長させ、高混晶AlGaAs層4上に、p型AlGaAsクラッド層3、p型AlGaAs活性層2およびn型AlGaAsウインドウ層1の順に成長させてウェハ8を形成し、希フッ酸によってウェハ8から高混晶AlGaAs層4を選択的にエッチング除去してエピタキシャルウェハ6を生成する。

Claim (excerpt)：

基板上にエピタキシャル層を成長させてウェハを形成し、前記ウェハから前記基板を除去して発光ダイオード用エピタキシャルウェハを製造する方法において、前記基板上に前記エピタキシャル層を成長させる前に、前記基板上に前記エピタキシャル層の混晶比よりも高い混晶比を有する高混晶層を成長させ、前記高混晶層上に前記エピタキシャル層を成長させてウェハを形成し、前記ウェハから前記高混晶層を前記混晶比の差によって選択的にエッチング除去してエピタキシャルウェハを前記基板から分離して生成する、発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法。