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J-GLOBAL ID：200903032980807457
半導体発光素子およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997008255
Publication number (International publication number)：1998209572
Application date： Jan. 21, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：
【要約】【課題】 極低しきい値電流、長寿命の短波長半導体レーザを提供する。【解決手段】 基板101上に、n-GaAs層102、n-ZnMgSSeクラッド層103、i-ZnSSe光ガイド層104、ZnCdSe量子ドット活性領域105、i-ZnSSe光ガイド層106、p-ZnMgSSeクラッド層107、p-ZnSe/ZnTe超格子層108、p-ZnTeコンタクト層109が順次積層されている。ZnCdSe量子ドット活性領域105の大きさはボーア半径の2倍に近いために電子-正孔間のクーロン相互作用が強く、ひとつの電子-正孔対は直ちに励起子となる。そして2つの励起子もほぼ100%励起子分子となり単独の2つの励起子に分離する確率は極めて小さい。このように空間的に電子-正孔対を閉じ込める作用によってわずかな励起子密度、あるいはキャリア密度においても容易に反転分布を作り出すことができる。
Claim (excerpt)：
室温以上の温度で活性領域において複数の励起子が存在可能であり、前記活性領域で励起子間の距離をボーア半径の10倍以下に近接させる機能を備えた半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (3)：
H01S 3/18
, H01L 33/00 C
, H01L 33/00 D
