新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003035077
Publication number (International publication number)：2004244360
Application date： Feb. 13, 2003
Publication date： Sep. 02, 2004
Summary：

【解決手段】下記一般式(1)で示されるスルホニルジアゾメタン化合物【化1】(Rは炭素数1〜4のアルキル基を示す。GはSO2又はCOを示し、R3は炭素数1〜10のアルキル基、又は炭素数6〜14のアリール基を示す。pは1又は2、qは0又は1、p+q=2を満足する。mは3〜11の整数、kは0〜3の整数。)【効果】本発明のスルホニルジアゾメタン及びそれを用いた化学増幅型レジスト材料は、ベンゼンスルホニルジアゾメタンのベンゼン環の2位に長鎖アルコキシル基を含有することより、解像性、焦点余裕度に優れ、PEDが長時間にわたる場合にも線幅変動、形状劣化が少なく、熱安定性も高く、塗布後、現像後、剥離後の異物が少なく、現像後のパターンプロファイル形状に優れ、微細加工に適した高解像性を有する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示されるスルホニルジアゾメタン化合物

IPC (6)：

C07C317/28 , C08F12/24 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (6)：

C07C317/28 , C08F12/24 , G03F7/004 503A , G03F7/038 601 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

F-Term (48)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CB55 , 2H025CC17 , 4H006AA01 , 4H006AB92 , 4H006TA02 , 4H006TB04 , 4J100AB02Q , 4J100AB03Q , 4J100AB07P , 4J100AJ02P , 4J100AJ02Q , 4J100AL03Q , 4J100AL03R , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AM43Q , 4J100AM43R , 4J100AR10Q , 4J100BA02P , 4J100BA03P , 4J100BA04P , 4J100BA14P , 4J100BA14Q , 4J100BA20P , 4J100BA20Q , 4J100BA72P , 4J100BA72Q , 4J100BC08P , 4J100BC08Q , 4J100BC21P , 4J100BC21Q , 4J100BC43P , 4J100BC43Q , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

感放射線性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-189479 Applicant：三菱化学株式会社
新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-275029 Applicant：信越化学工業株式会社
新規スルホニルジアゾメタン化合物及びレジスト材料用の光酸発生剤
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-285442 Applicant：信越化学工業株式会社

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