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J-GLOBAL ID：200903032998549650

半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： 小林 佑吉 ,  戸井田 孝志
Applicant, Patent owner： シチズン時計株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991045338
Publication number (International publication number)：1993144814
Application date： Feb. 19, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【構成】 アルミニウム膜と高融点金属膜と金属膜とを形成し、金属膜をパターニング後、保護膜を形成し、さらに高融点金属膜とアルミニウム膜とをパターニングし、その後パシベーション膜開口部内の保護膜を除去し、突起電極を形成する。【効果】 パシベーション膜にクラックが発生せず、信頼性の高い半導体集積回路装置が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の全面に配線膜と金属膜とを順次形成し、ホトエッチングにより該金属膜をパターニングする工程と、全面に保護膜を形成し、ホトエッチングにより該保護膜をパターニングする工程と、前記配線膜をホトエッチングによりパターニングする工程と、全面にパシベーション膜を形成し、ホトエッチングにより該パシベーション膜に開口部を形成し、該開口部内の前記保護膜を除去し、突起電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/92 C ,  H01L 21/92 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-150222
  
• 特開昭62-120616