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J-GLOBAL ID：200903033005299323

レーザーアニール法

Inventor： 品川 陽明 ,  河内 玄士郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997256432
Publication number (International publication number)：1999097351
Application date： Sep. 22, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体に単純にレーザー照射することで、下地基板に対して平行な方向に結晶成長させ、結晶粒径の大きな結晶性半導体を製造できるレーザーアニール法を確立する。【解決手段】レーザーアニール時に、一次元方向のみのビーム(エネルギー)プロファイルを、エネルギーの大きな部位とそれと比較してエネルギーの小さな部位が交互に並んだ形状のレーザー光を照射する。

Claim (excerpt)：

半導体にレーザー光を照射して、溶融再結晶化させ、結晶性半導体を作製するレーザーアニール法において、半導体が溶融した際に、下地基板に対して平行な方向に温度勾配を生じさせるビーム形状のレーザー光を照射することを特徴とするレーザーアニール法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 21/268

FI (3)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 21/268 F