薄膜太陽電池の製法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996513835
Publication number (International publication number)：1998512096
Application date： Oct. 20, 1995
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：

【要約】太陽電池の電気的バック接点をなす金属層(2)を含む構造体にセレン化銅インジウム(CuInSe2)(3)を1回の製造工程で被覆し、このバック接点が基体(1)上に被覆されている薄膜太陽電池の製法。本発明はCuInSe2層(3)を被覆する前にアルカリ金属含有層(6)を構造体上に形することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

太陽電池の電気的バック接点をなす金属層(2)を含む構造体にセレン化銅インジウム(CuInSe2)(3)を1回の製造工程で被覆し、このバック接点が基体(1)上に被覆されている薄膜太陽電池の製法において、CuInSe2層(3)を被覆する前にアルカリ金属含有層(6)を構造体上に形成することを特徴とする、上記製法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平4-320381
光起電装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-164763 Applicant：富士電機株式会社
特開平2-094669

Show all

Return to Previous Page