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J-GLOBAL ID：200903033027338322

タングステン層の形成方法及びタングステン層の積層構造

Inventor：
饗場 康

About 饗場 康

, 
小池 幸男

About 小池 幸男


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000002913
Publication number (International publication number)：2000265272
Application date： Jan. 11, 2000
Publication date： Sep. 26, 2000
Summary：
【要約】【課題】 核結晶膜成膜後のインキュベーションタイムをなくして全体の見かけ上の成膜速度を高めると共に、膜厚の面間均一性(再現性)を高めることができめるタングステン層の形成方法を提供する。【解決手段】 フッ化タングステンガスよりなる原料ガスとこの原料ガスを還元する還元ガスとを含む処理ガスを供給しつつ、被処理体Wの表面にタングステン層を形成する方法において、前記被処理体の表面にタングステンの核結晶膜2を形成する核結晶膜形成工程と、前記核結晶膜上に主タングステン膜4を形成する主タングステン膜形成工程と、前記核結晶膜形成工程と前記主タングステン膜形成工程との間に、前記主タングステン膜形成工程に比べて前記還元ガスに対する前記原料ガスの流量比を小さくした状態で中間タングステン膜6を形成する中間タングステン膜形成工程を備える。これにより、核結晶膜成膜後のインキュベーションタイムをなくして全体の見かけ上の成膜速度を高めると共に、膜厚の面間均一性(再現性)を高める。
Claim (excerpt)：
フッ化タングステンガスよりなる原料ガスとこの原料ガスを還元する還元ガスとを含む処理ガスを供給しつつ、被処理体の表面にタングステン層を形成する方法において、前記被処理体の表面にタングステンの核結晶膜を形成する核結晶膜形成工程と、前記核結晶膜上に主タングステン膜を形成する主タングステン膜形成工程と、前記核結晶膜形成工程と前記主タングステン膜形成工程との間に、前記主タングステン膜形成工程に比べて前記還元ガスに対する前記原料ガスの流量比を小さくした状態で中間タングステン膜を形成する中間タングステン膜形成工程を備えるようにしたことを特徴とするタングステン層の形成方法。
IPC (2)：
C23C 16/08 ,  H01L 21/285 301
FI (2)：
C23C 16/08 ,  H01L 21/285 301 R
F-Term (16)：
4K030AA04 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030HA13 ,  4K030JA06 ,  4K030LA15 ,  4M104BB18 ,  4M104DD45 ,  4M104DD49 ,  4M104HH20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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