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J-GLOBAL ID：200903033027524266
パーティクルの検査方法および検査装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995163484
Publication number (International publication number)：1997015134
Application date： Jun. 29, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：
【要約】【目的】成膜工程が進んでいっても、十分な感度を得ることができ、従来検知できなかったパーティクルを検知可能にするパーティクルの検査方法および検査装置を提供する。【構成】ウエハ5にレーザ光を垂直に入射し、その反射光を受光し、パーティクルの有無および個数の計算を行なう第1の工程と、ウエハ5上に透明膜を成膜してレーザ光を45度の入射角で入射して反射光より計算する第2の工程と、ウエハ5に反射膜を成膜してP偏光したレーザ光を俯角20度で入射して反射光より計算する第3の工程と、ウエハ5に金属膜を成膜してS偏光したレーザ光を俯角20度で入射し反射光より計算する第4の工程とを含んでいる。
Claim (excerpt)：
半導体基板にレーザ光を第1の入射角で入射し、前記半導体基板で反射した光を受光し、その受光信号を用いてパーティクルの有無および個数の計算を行なう第1の工程と、前記半導体基板上に透明膜を成膜し、半導体基板にレーザ光を第2の入射角で入射し、前記半導体基板で反射した光を受光し、その受光信号を用いてパーティクルの有無および個数の計算を行なう第2の工程と、前記半導体基板上に反射膜を成膜し、P偏光したレーザ光を第3の入射角で前記半導体基板に入射し、前記半導体基板で反射した光を受光し、その受光信号を用いてパーティクルの有無および個数の計算を行なう第3の工程と、前記半導体基板上に金属膜を成膜し、S偏光したレーザ光を第4の入射角で前記半導体基板に入射し、前記半導体基板で反射した光を受光し、その受光信号を用いてパーティクルの有無および個数の計算を行なう第4の工程とを含むパーティクルの検査方法。
IPC (2)：
FI (2)：
G01N 15/14 D
, G01N 21/88 E
