Pat
J-GLOBAL ID：200903033028646276
再充電可能な電池素子の保護装置およびこの装置を備えるMOSFETトランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996036875
Publication number (International publication number)：1996340112
Application date： Feb. 23, 1996
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：
【要約】【課題】 スイッチング素子の特性として、一方向で低い導通抵抗とオフ状態インピーダンスを有しかつ他方向で無限に近いオーム値と定められたオフ状態インピーダンスを与えるようにする。【解決手段】 MOSFET形の電界効果トランジスタにおいて、基体(11)上に、第1の形の、第1の導電率レベルを有するエピタキシャル層(12)を形成し、そのエピタキシャル層に、第2の形の、第2の伝導率レベルを有するゲート領域(14)と、第1の形の、第3の導電率レベルを有するドレイン領域(18)とを形成し、上記ゲート領域(14)に、第1の形の、上記ドレイン領域(18)の導電率レベルと同じ導電率レベルを有するソース領域(16)を形成し、上記ドレイン領域、上記エピタキシャル層およびゲートバッキング領域の路によってダイオード(Dn)が形成され、このダイオードは上記トランジスタがオンの時にソース・ドレイン方向に定められるインピーダンスを有するようにする。
Claim (excerpt)：
MOSFET形の電解効果トランジスタにおいて、基体(11)上に、第1の形の、第1の導電率レベルを有するエピタキシャル層(12)を形成し、そのエピタキシャル層に、第2の形の、第2の伝導率レベルを有するゲート領域(14)と、第1の形の、第3の導電率レベルを有するドレイン領域(18)とを形成し、上記ゲート領域(14)に、第1の形の、上記ドレイン領域(18)の導電率レベルと同じ導電率レベルを有するソース領域(16)を形成し、上記ドレイン領域、上記エピタキシャル層およびゲートバッキング領域の路によってダイオード(Dn)が形成され、このダイオードは上記トランジスタがオンの時にソース・ドレイン方向に定められるインピーダンスを有することを特徴とするMOSFET形の電解効果トランジスタ。
IPC (5)：
H01L 29/78
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01M 10/42
, H02J 7/10
H01L 29/78 301 D
, H01M 10/42 P
, H02J 7/10 A
, H01L 27/08 321 L
