光半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992089433
Publication number (International publication number)：1993259433
Application date： Mar. 13, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】正入力及び負入力の両方が可能な光半導体装置を実現する。【構成】レーザダイオードLDのカソードに、二つのヘテロ接合フォトトランジスタHPT1、HPT2を互いに並列に接続する。ヘテロ接合フォトトランジスタHPT1のベースへの光入力1が正入力、ヘテロ接合フォトトランジスタHPT2のベースへの光入力2が負入力となり、これらの光入力1及び光入力2に応じてレーザダイオードLDから光出力が得られる。具体的な構造例においては、レーザダイオードLD上に光吸収層を介してヘテロ接合フォトトランジスタHPT1、HPT2を積層する。

Claim (excerpt)：

発光素子と、上記発光素子の一方の端子に互いに並列に接続された少なくとも二つのフォトトランジスタとを有する光半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/15 , H01L 31/10 , H01L 31/12 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平4-240766
特開昭62-189817
特開平2-125467

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Cited by examiner (8)

特開平4-240766
特開平4-240766
特開昭62-189817

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