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J-GLOBAL ID：200903033031549672

電界効果型半導体素子

Inventor： 馬場 清一 ,  山口 勤 ,  宇田 尚典 ,  村井 成行
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998249677
Publication number (International publication number)：2000077615
Application date： Sep. 03, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ゲート電極の接続に要する面積が低減され、小型化および高密度化を図ることが可能でかつオン抵抗およびオフ容量の低減化が可能な電界効果型半導体素子を提供することである。【解決手段】 各ソース電極1の両側の各一対のゲート電極g1は第1の領域R1上でゲートパッドPで互いに接続されかつエアブリッジ30により第1ゲート配線層G1に接続され、各ドレイン電極2の両側の各一対のゲート電極g4は第2の領域R2上でゲートパッドPで互いに接続されかつエアブリッジ30を介して第4ゲート配線層G4に接続される。各ゲート電極g2および各ゲート電極g3はエアブリッジを介さずにそれぞれ第2ゲート配線層G2および第3ゲート配線層G3に接続される。

Claim (excerpt)：

半導体に設けられた動作層と、前記動作層上に第1の方向に交互に配置され、各々が前記第1の方向と交差する第2の方向に延びる複数のソース電極および複数のドレイン電極と、各ソース電極と各ドレイン電極との間の各チャネル領域上に各ソース電極側から各ドレイン電極側に順に配置され、各々が前記第2の方向に延びる第1番目〜第n番目のゲート電極と、ソース配線層と、ドレイン配線層と、前記第1番目〜第n番目のゲート電極にそれぞれ対応する共通の第1番目〜第n番目のゲート配線層とを備え、奇数番目のゲート配線層は、前記第2の方向における前記動作層の一端部側で前記動作層外の第1の領域上に配置され、偶数番目のゲート配線層は、前記第2の方向における前記動作層の他端部側で前記動作層外の第2の領域上に配置され、各チャネル領域上の前記第1番目〜第n番目のゲート電極のうち一部のゲート電極は、ブリッジ配線を介さずにそれぞれ対応するゲート配線層に接続され、各チャネル領域上の前記第1番目〜第n番目のゲート電極のうち残りのゲート電極は、それぞれ前記第2の方向に延びるブリッジ配線を介して対応するゲート配線層に接続され、前記ソース配線層は、前記第1および第2の領域のうち一方に配置され、前記ドレイン配線層は、前記第1および第2の領域のうち他方に配置され、各ソース電極は、前記第2の方向に延びるブリッジ配線を介して前記ソース配線層に接続され、各ドレイン電極は、前記第2の方向に延びるブリッジ配線を介して前記ドレイン配線層に接続されたことを特徴とする電界効果型半導体素子。

IPC (4)：

H01L 27/095 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/80 ,  H03F 3/16

FI (4)：

H01L 29/80 E ,  H03F 3/16 Z ,  H01L 21/90 N ,  H01L 29/80 W

F-Term (34)：

5F033AA03 ,  5F033AA05 ,  5F033AA13 ,  5F033BA15 ,  5F033BA16 ,  5F033CA01 ,  5F033CA09 ,  5F033DA34 ,  5F033DA36 ,  5F033DA38 ,  5F033EA29 ,  5F102FA03 ,  5F102GA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GV01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC30 ,  5J092AA01 ,  5J092CA00 ,  5J092CA92 ,  5J092FA16 ,  5J092HA09 ,  5J092HA16 ,  5J092MA09 ,  5J092QA02 ,  5J092QA03 ,  5J092SA16