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J-GLOBAL ID：200903033047110409

有機Siソースを用いた成膜方法、同成膜装置、及び半導体装置の製造方法

Inventor： 斎藤 正樹
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994160899
Publication number (International publication number)：1996031816
Application date： Jul. 13, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 有機SiソースとO3 との反応によるシリコン酸化膜を形成する技術について、その成膜の下地依存性を抑制して、形成されるシリコン酸化膜の膜質を改良できるとともに、これを工程数の増加、新しい設備の付加・導入を抑えて設備投資を抑制して実現できる有機Siソースを用いた成膜方法、同成膜装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 TEOS等の有機SiソースとO3 との反応によりシリコン酸化膜を基板上に形成する成膜方法において、基板4にシリコン酸化膜を形成する過程の最初の段階で、成膜を行うチェンバ2内の被成膜基板の雰囲気ガスを、Si含有有機ガスを含むがO3 を含まないガスもしくは有機Siソースを含まずアルコールを含むガスとし、その後の段階において同一チェンバ内で有機SiソースとO3 との反応によりシリコン酸化膜を基板上に成膜する。

Claim (excerpt)：

有機SiソースとO3 との反応によりシリコン酸化膜を基板上に形成する成膜方法において、基板にシリコン酸化膜を形成する過程の最初の段階で、成膜を行うチェンバ内の被成膜基板の雰囲気ガスを、Si含有有機ガスを含むがO3 を含まないガスもしくは有機Siソースを含まずアルコールを含むガスとし、その後の段階において同一チェンバ内で有機SiソースとO3 との反応によりシリコン酸化膜を基板上に成膜することを特徴とする有機Siソースを用いた成膜方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31