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J-GLOBAL ID：200903033057901544
積層構造体及びそれを用いた化合物半導体デバイス
Inventor：
,
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福田 武通 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998066769
Publication number (International publication number)：1999266006
Application date： Mar. 17, 1998
Publication date： Sep. 28, 1999
Summary：
【要約】【課題】 積層構造体において、緩衝層と、その上面に積層させる立方晶のIII族窒化物半導体層との整合性をほぼ完全なものにできるようにする。【解決手段】 この発明の積層構造体10aは、立方晶の結晶基板1と、この結晶基板1上に形成したリン化硼素ガリウム混晶(B<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>P:0≦x≦1)から成る緩衝層21と、緩衝層21上に形成した、立方晶を主体とし一般構造式がAl<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>In<SB>z</SB>N<SB>w</SB>M<SB>1-w </SB>層(0≦x、y、z≦1、x+y+z=1、0<w≦1で記号Mは窒素以外の第V元素を表す。)で表されるIII 族窒化物半導体層3と、を備えて成る。
Claim (excerpt)：
基板上に積層して成る積層構造体において、立方晶の結晶基板と、上記結晶基板上に形成したリン化硼素ガリウム混晶(B<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>P:0≦x≦1)から成る緩衝層と、上記緩衝層上に形成した、立方晶を主体とし一般構造式がAl<SB>p</SB>Ga<SB>q</SB>In<SB>r</SB>N<SB>s</SB>M<SB>1-s </SB>層(0≦p、q、r≦1、p+q+r=1、0<s≦1で記号Mは窒素以外の第V族元素を表す。)で表されるIII 族窒化物半導体層と、を備えたことを特徴とする積層構造体。
IPC (3)：
H01L 29/20
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 29/20
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
Cited by examiner (10)
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