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J-GLOBAL ID：200903033060055450

半導体レーザ装置

Inventor： 高橋 孝志
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996058508
Publication number (International publication number)：1997232674
Application date： Feb. 21, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 温度特性を改善するためにクラッド層のドーピング濃度を高くする場合にも、良好な電流狭搾機能を維持し、かつ、屈折率導波形レーザを実現可能なAlGaInP系の半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 {100}面を主平面としストライプ状の凸部113を有する第1導電型GaAs基板101上に、第1導電型AlGaInPクラッド層103,アンドープAlGaInP下部拡散防止層104,アンドープAlGaInP活性層105,アンドープAlGaInP上部拡散防止層106,第2導電型AlGaInPクラッド層107,第2導電型GaAsコンタクト層109が、基板101の主平面と平行な結晶面とこの結晶面に対して傾いた斜面とを有するように順次に積層され、コンタクト層109と第2導電型クラッド層107の凸部を除いた領域が高抵抗領域112となっている。

Claim (excerpt)：

{100}面を主平面としストライプ状の凸部または凹部が設けられた第1導電型GaAs基板上に、第1導電型AlGaInPクラッド層,アンドープAlGaInP下部拡散防止層,アンドープAlGaInP活性層,アンドープAlGaInP上部拡散防止層,第2導電型AlGaInPクラッド層,第2導電型GaAsコンタクト層が、該基板の主平面と平行な結晶面とこの結晶面に対して傾いた斜面とを有するように、順次に積層され、前記コンタクト層と前記第2導電型クラッド層の凹部または凸部を除いた領域が高抵抗領域となっていることを特徴とする半導体レーザ装置。