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J-GLOBAL ID：200903033067195672

二次電池及び該二次電池の製造方法

Inventor： 川上 総一郎 ,  三品 伸也 ,  小林 直哉 ,  浅尾 昌也
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995163675
Publication number (International publication number)：1996088022
Application date： Jun. 29, 1995
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 負極への電界集中を低減し、充電時に負極活物質の樹枝状結晶の成長を抑制し、充放電サイクル寿命を伸ばし、高容量かつ高エネルギー密度とする。【構成】 負極202、セパレータ205、正極203、電解質(電解液)204を少なくとも有する二次電池において、負極の導電体の突起部分110が少なくとも絶縁体膜または半導体膜101で被覆された二次電池であり、負極の導電体材料表面は電解液中で電気化学的方法を用いて前記被覆を施す。

Claim (excerpt)：

負極と、該負極とセパレータを介して設けられた正極と、前記負極及び前記正極間に接して設けられた電解質と、を有する二次電池であって、前記負極の導電体の突起部分が少なくとも絶縁体または半導体で被覆されることを特徴とする二次電池。

IPC (4)：

H01M 10/38 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/66 ,  H01M 10/40