Pat

J-GLOBAL ID：200903033068215146

微細金属配線形成方法

Inventor： 宮本 秀信
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992314487
Publication number (International publication number)：1994163456
Application date： Nov. 25, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】少なくとも高融点金属膜,およびアルミ系金属膜を順次堆積して積層金属膜を加工して形成する半導体装置に用いれ微細金属配線を、精度よく形成する。【構成】半導体基板101表面に形成された拡散層102に達するコンタクト孔104を層間絶縁膜103に形成した後、チタン・タングステン膜105,CVDタングステン膜106,アルミ合金膜107,チタン・タングステン膜115,プラズマ酸化膜108,およびフォトレジストパターン109を順次形成し、このフォトレジストパターン109をマスクにしてプラズマ酸化膜108とチタン・タングステン膜115とアルミ合金膜107とを順次エッチングする。フォトレジストパターン109を除去し、プラズマ酸化膜118を形成し、このプラズマ酸化膜118をエッチバックした後、プラズマ酸化膜108a並びに118aをマスクにしてCVDタングステン膜106,およびチタン・タングステン膜105をエッチングする。

Claim (excerpt)：

表面に素子が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、前記素子に達する開口部を前記層間絶縁膜に形成する工程と、全面に少なくとも高融点金属膜,およびアルミ系金属膜を順次堆積して積層金属膜を形成する工程と、CVD法を用いて、前記積層金属膜上に第1の絶縁膜を形成する工程と、フォトリソグラフィー技術を用いて、前記第1の絶縁膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストパターンをマスクにしたドライエッチング技術を用いて、前記第1の絶縁膜,および前記アルミ系金属膜を順次エッチングする工程と、前記フォトレジストパターンを剥離する工程と、CVD法を用いて、全面に第2の絶縁膜を形成する工程と、ドライエッチング技術を用いて前記第2の絶縁膜のエッチバックを行ない、前記第1の絶縁膜並びに前記アルミ系金属膜の側面に前記第2の絶縁膜からなるスペーサを形成する工程と、前記第1の絶縁膜,および前記スペーサをマスクにしたドライエッチング技術を用いて、前記高融点金属膜をエッチングする工程と、を有することを特徴とする微細金属配線形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/3205