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J-GLOBAL ID：200903033070698103

多接合型薄膜太陽電池およびその製造方法

Inventor：
藤掛 伸二

About 藤掛 伸二


Applicant, Patent owner：
株式会社富士電機総合研究所

About 株式会社富士電機総合研究所


Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000258511
Publication number (International publication number)：2002076396
Application date： Aug. 29, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】複数のpin型セルを積層した多接合型薄膜太陽電池において、変換効率が高く、しかも製造の容易なa-Si太陽電池およびその製造方法を提供する。【解決手段】上側セルと下側セルとの境界部に下側セルの他の半導体層より低屈折率の半導体層、例えば、屈折率が2.5〜3のn型の微結晶シリコン層を設ける。製造方法としては,100°C以下の基板温度、且つ100倍以下の水素希釈度で製膜することにより、屈折率が3以下の微結晶シリコン層が得られる。
Claim (excerpt)：
複数のpin型セルを積層してなる多接合型薄膜太陽電池において、上側セルと下側セルとの境界をなす二つの層の少なくともいずれかまたはその一部が、その層またはその一部より上側の半導体層と比較して屈折率の低い低屈折率層であることを特徴とする多接合型薄膜太陽電池。
FI (2)：
H01L 31/04 W ,  H01L 31/04 V
F-Term (10)：
5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA03 ,  5F051CA05 ,  5F051CA09 ,  5F051CA15 ,  5F051CA36 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051DA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開昭63-077167
  • 特開昭59-125669
  • 光起電力素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-243303   Applicant：キヤノン株式会社
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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