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J-GLOBAL ID：200903033080012447

レーザアニール装置

Inventor： 酒井 峰一 ,  藤井 哲夫
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992025315
Publication number (International publication number)：1993226275
Application date： Feb. 12, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】この発明は、特に周縁部において膜剥がれが生じないようにした、例えばSOI基板の製造工程において多結晶シリコン層をアニールし、単結晶化するレーザアニール装置を提供することである。【構成】アニールすべき試料21はX・Yテーブル22上に設置し、この試料21に対してレーザ光源241 、242 からのレーザビームを、光学系251 、252 、ビーム合成器26、レンズ28を介して集光し照射する。試料21のレーザビームの通路となる上方には、試料21の周縁部を覆う額縁状の減光板30を設置するもので、この減光板30によって、試料の周縁ではエネルギー強度が小さく、中央に向かってエネルギー強度が増大されるエネルギー分布が設定されるようにする。

Claim (excerpt)：

アニールすべき試料が載置されたテーブルと、レーザ電源によって駆動され、アニール用レーザビームを発生するレーザ光源と、このレーザ光源からのレーザビームを、前記テーブル上の試料面に照射する光学装置と、この光学装置から出力される前記レーザビームを、前記テーブル上の試料面に走査するビーム走査手段と、前記テーブル上の試料に対する前記レーザビームの通路部に設定された減光板とを具備し、前記減光板は前記試料の外周縁に沿って設定されるもので、減光量が外周部から内周部に至るにしたがって減少されるように構成したことを特徴とするレーザアニール装置。