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J-GLOBAL ID：200903033081844586

液晶表示装置用アレイ基板

Inventor： 堂城 政幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992005989
Publication number (International publication number)：1993188399
Application date： Jan. 16, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】この発明は、アドレス配線・電極の抵抗が低抵抗となり、且つ信頼性の優れた良好なTFT特性が得られ、液晶表示装置の大画面化,高精細化を図ることが出来る液晶表示装置用アレイ基板を提供することを目的とする。【構成】この発明の液晶表示装置用アレイ基板は、絶縁性基板1上に形成されるアドレス配線・電極2とそれに交差して配置されるデータ配線・電極3,透明画素電極5および薄膜トランジスタ4から構成され、更に、上記アドレス配線・電極が異種金属薄膜の多層構造からなる配線・電極で、且つ表面側第1層金属層が第2層以下の金属層よりも基板水平方向に突き出ており、上記アドレス配線・電極を被覆する絶縁膜が2層以上の積層膜で構成され、上記アドレス配線・電極に隣接する側の絶縁膜がTEOSを主原料とするCVD法又はプラズマCVD法によるシリコン酸化膜であり、上記の目的を達成することが出来る。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に形成されるアドレス配線・電極とそれに交差して配置されるデータ配線・電極,透明画素電極および薄膜トランジスタから構成される液晶表示装置用アレイ基板において、上記アドレス配線・電極が異種金属薄膜の多層構造からなる配線・電極で、且つ表面側第1層金属層が第2層以下の金属層よりも基板水平方向に突き出ており、上記アドレス配線・電極を被覆する絶縁膜が2層以上の積層膜で構成され、上記アドレス配線・電極に隣接する側の絶縁膜がTEOSを主原料とするCVD法又はプラズマCVD法によるシリコン酸化膜であることを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 A