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J-GLOBAL ID：200903033085636880

半導体記憶装置

Inventor： 梶谷 一彦 ,  宮沢 英之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 徳若 光政
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993270029
Publication number (International publication number)：1995106437
Application date： Oct. 01, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ダイナミック型RAM等の製造プロセスを簡素化し、その低コスト化を推進する。【構成】 情報蓄積キャパシタ及びアドレス選択MOSFETを含むダイナミック型メモリセルが格子状に配置されてなるメモリアレイをその基本構成要素とするダイナミック型RAM等において、情報蓄積キャパシタCsの上部電極CsU又は下部電極CsLを、周辺回路に用いられる第1層の金属配線層MW11〜MW12等と同一材料つまり白金Ptでしかも同一工程で同時形成する。これにより、情報蓄積キャパシタCsの電極形成のためのプロセスと周辺回路の金属配線層形成のためのプロセスとを共通化して、ダイナミック型RAM等の製造プロセスを簡素化し、その低コスト化を推進することができる。

Claim (excerpt)：

情報蓄積キャパシタを含むメモリセルが格子状に配置されてなるメモリアレイと、所定の金属配線層を介して結合される素子を含む周辺回路とを具備し、上記情報蓄積キャパシタの少なくとも一方又は他方の電極が上記金属配線層と同一材料でかつ同時に形成されることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/04 C