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J-GLOBAL ID：200903033090281810

窒化物半導体レーザ素子

Inventor： 松下 俊雄
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995126455
Publication number (International publication number)：1996321660
Application date： May. 25, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 窒化物半導体の劈開面を光共振面とせず、他の手段により新しい光共振面を形成し、InAlGaNよりなる紫外、青色の半導体レーザを提供する。【構成】 サファイア透明基板1,P-n接合をもつ二重ヘテロ構造の窒化物半導体2とその中の活性層2′、及び負電極3、正電極4から構成された発光チップがサブマウント20上に載置されている。発光チップのレーザ光出射面側に半球状の凹レンズ10を設け、その凹面側に誘電体多層膜からなる第一ミラー11が形成され、チップにはもう一方の光共振面となる第二ミラー5が形成されている。凹面ミラーの曲率中心より内側に発光チップを配置することにより、チップ外部に共振面(第一ミラー11)をもつ共振器と、チップ内に全反射鏡の共振面(第二ミラー5)をもつ共振器との間で活性層2′の発光は共振する。図の矢線は共振状態を示す。両ミラー間で共振した光はレーザ光となり凹レンズ側に出射する。

Claim (excerpt)：

透明基板上に窒化物半導体が積層されてなる発光チップの外部に、少なくとも一方の光共振器が設けられていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-231387
  
• 特開平1-152787
  
• 特開昭58-175147