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J-GLOBAL ID：200903033091672090

多重量子井戸半導体レーザ

Inventor： 佐々木 善浩 ,  森本 卓夫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994030830
Publication number (International publication number)：1995221395
Application date： Feb. 03, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 長波長半導体レーザにおいて、キャリアの量子井戸への不均一注入を防止し、量子井戸内の電子の溢れ出しを防止し、かつ、利得不足から生じる閾値の増大、内部ロスから生じる閾値の増大やスロープ効率の低下を抑制する。【構成】 p-InPクラッド層1、n-InPクラッド層6の内側にInGaAsP光導波路層2、3を設け、その間にInGaAsP障壁層4、歪InGaAsP量子井戸層5を設けた半導体レーザにおいて、量子井戸におけるホールの第1量子準位と障壁層の価電子帯のトップとのエネルギー差δEvを160meV以下とし、かつ、量子井戸における電子の第1量子準位と障壁層の伝導帯のボトムとのエネルギー差δEcを30meV以上とし、かつ、量子井戸層への光閉じ込め係数を0.01から0.07の範囲とする。

Claim (excerpt)：

InPを基板として用いる長波長帯の多重量子井戸半導体レーザにおいて、量子井戸におけるホールの第1量子準位と障壁層の価電子帯のトップとのエネルギー差が160meV以下であり、かつ、前記量子井戸における電子の第1量子準位と障壁層の伝導帯のボトムとのエネルギー差が30meV以上であり、かつ、前記量子井戸層への光閉じ込め係数が0.01から0.07の範囲にあることを特徴とする多重量子井戸半導体レーザ。