固体撮像装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：最上健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993114208
Publication number (International publication number)：1994302798
Application date： Apr. 19, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 P-N接合ホトダイオードよりなる光電変換部を有する増幅型撮像素子を用いた固体撮像装置において、OB画素部が完全な光遮光特性を保持し、且つOB画素部の出力が受光部の暗出力と正確に一致するようにする。【構成】 P-N接合ホトダイオードよりなる光電変換部を有するAMIを用いた固体撮像装置において、受光部A及びOB画素部B上に設けた透明絶縁物層101 と、OB画素部B上にのみ設けた金属遮光層102 との間に、透明導電膜103 を、受光部A及びOB画素部Bに亘って一様に設ける。

Claim (excerpt)：

P-N接合ホトダイオードよりなる光電変換部を有する増幅型撮像素子を用いた固体撮像装置において、受光部と金属遮光層の形成されたオプティカルブラック画素部とを有し、該金属遮光層よりも半導体表面側に、もしくは該金属遮光層の直上の光入射方向側に透明な導電膜を、前記受光部及びオプティカルブラック画素部に亘り一様に形成したことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3)：

H01L 27/146 , H01L 31/10 , H04N 5/335

FI (2)：

H01L 27/14 E , H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

光電変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-208804 Applicant：キヤノン株式会社

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