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J-GLOBAL ID：200903033128425102

ホウ素を含んだカーボンナノチューブの製造方法

Inventor： 板東 義雄 ,  ウェイチン ハン ,  佐藤 忠夫 ,  倉嶋 敬次
Applicant, Patent owner： 科学技術庁無機材質研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999087754
Publication number (International publication number)：2000281323
Application date： Mar. 30, 1999
Publication date： Oct. 10, 2000
Summary：

【要約】【課題】 B-C組成のみからなるホウ素を含んだカーボンナノチューブの大量合成。【解決手段】 カーボンナノチューブを原料とし、これにホウ素酸化物を不活性ガス中で800°C以上から1600°C以下で反応させて式B<SB>x </SB>C<SB>1-x </SB>(x<0.1)で示されるホウ素を含んだカーボンナノチューブを生成させる。

Claim (excerpt)：

カーボンナノチューブを原料とし、これにホウ素酸化物を不活性ガス中で800°C以上から1600°C以下で反応させて式B<SB>x </SB>C<SB>1-x </SB>(x<0.1)で示されるホウ素を含んだカーボンナノチューブを生成させることを特徴とするホウ素を含んだカーボンナノチューブの製造方法。

IPC (2)：

C01B 31/02 101 ,  H01J 9/02

FI (2)：

C01B 31/02 101 F ,  H01J 9/02 B

F-Term (1)：

4G046AB01