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J-GLOBAL ID：200903033132401382

新規ホスフィン-ホスフィナイト化合物およびそれを用いた4-[(R)-1’-ホルミルエチル]アゼチジン-2-オン誘導体の製造方法

Inventor： 斉藤 隆夫 ,  吉田 昭文 ,  松村 和彦 ,  三浦 孝志 ,  雲林 秀徳
Applicant, Patent owner： 高砂香料工業株式会社
Agent (1)： 小野 信夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995210215
Publication number (International publication number)：1997040684
Application date： Jul. 27, 1995
Publication date： Feb. 10, 1997
Summary：

【要約】【構成】 次の一般式(1)【化1】(式中、R1及びR2は同一または異なって、フェニル基;低級アルキル、低級アルコキシ、フェニル、ハロゲン、ハロゲン置換低級アルキル、低級アルキル置換フェニル、トリ低級アルキルシリル、シクロペンチル、3,4-メチレンジオキシ若しくは3,4-エチレンジオキシで置換されたフェニル基;ナフチル基または低級アルキル、低級アルコキシ若しくはハロゲンで置換されたナフチル基を示す)で表されるホスフィン-ホスフィナイト化合物およびそれを用いた4-[(R)-1'-ホルミルエチル]アゼチジン-2-オン誘導体の製造方法。【効果】 本発明の新規ホスフィン-ホスフィナイト化合物(1)は、遷移金属化合物とともにあるいは化合物(1)と遷移金属化合物とからなる錯体を用いることにより、不斉ヒドロホルミル化反応等の触媒として有利に利用できる。 また、それらを触媒として用いることにより高位置選択的かつ高立体選択的にカルバペネム系抗菌剤の重要中間体或いはその前駆体を容易に合成できる。

Claim (excerpt)：

次の一般式(1)【化1】(式中、R1及びR2は同一または異なって、フェニル基;低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェニル基、ハロゲン原子、ハロゲン置換低級アルキル基、低級アルキル置換フェニル基、トリ低級アルキルシリル基、シクロペンチル基、3,4-メチレンジオキシ基若しくは3,4-エチレンジオキシ基で置換されたフェニル基;ナフチル基または低級アルキル基、低級アルコキシ基若しくはハロゲン原子で置換されたナフチル基を示す)で表されるホスフィン-ホスフィナイト化合物。

IPC (4)：

C07F 9/50 ,  C07D205/08 ,  C07F 9/09 ,  C07F 9/655

FI (4)：

C07F 9/50 ,  C07F 9/09 Z ,  C07F 9/655 ,  C07D205/08 K